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|  ̄(79)Kr高自旋超形变的观测 期刊论文 原子核物理评论, 1997, 期号: 04 潘强岩; M.DePoli; G.DeAngelis; C.Fahlander; D.Bazzacco; E.Farnea; A.Gadea; D.R.Napoli; P.Spolaore 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2011/09/23
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| 面発光型半導体レーザー装置 专利 专利号: JP2717212B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18 作者: 伊賀 健一; 石川 徹; 茨木 晃; 古沢 浩太郎 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 面発光型半導体レーザ装置 专利 专利号: JP2717213B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18 作者: 伊賀 健一; 石川 徹; 古沢 浩太郎; 茨木 晃 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Optische Halbleitervorrichtung und Verfahren zu iherer Herstellung 专利 专利号: DE19717562A1, 申请日期: 1997-11-06, 公开日期: 1997-11-06 作者: MORIKAWA TAKENORI 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| Impact parameter selected nuclear temperatures of hot nuclei from excited state populations for Ar-40+Au-197 reactions at E/A=25MeV 期刊论文 ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK A-HADRONS AND NUCLEI, 1997, 卷号: 359, 页码: 247-250 作者: Li, ZY; He, ZY; Duan, LM; Jin, GM; Wu, HY 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2018/05/31 |
| 一个群论公式及其应用 期刊论文 1997 肖文俊 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2011/04/26
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| II-VI族化合物半導体の製造方法 专利 专利号: JP1997270564A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14 作者: 浅野 竹春 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 半導体発光素子 专利 专利号: JP1997266352A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07 作者: 早川 利郎 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| AlInGaN系半導体発光素子 专利 专利号: JP1997266351A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07 作者: 早川 利郎 收藏  |  浏览/下载:53/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 非全熔合反应裂变角分布 期刊论文 高能物理与核物理, 1997, 期号: 09 刘国兴; 陈克良; 于暹; 戴光曦 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2011/09/23
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