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 ̄(79)Kr高自旋超形变的观测 期刊论文
原子核物理评论, 1997, 期号: 04
潘强岩; M.DePoli; G.DeAngelis; C.Fahlander; D.Bazzacco; E.Farnea; A.Gadea; D.R.Napoli; P.Spolaore
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面発光型半導体レーザー装置 专利
专利号: JP2717212B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
作者:  伊賀 健一;  石川 徹;  茨木 晃;  古沢 浩太郎
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26
面発光型半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2717213B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18
作者:  伊賀 健一;  石川 徹;  古沢 浩太郎;  茨木 晃
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Optische Halbleitervorrichtung und Verfahren zu iherer Herstellung 专利
专利号: DE19717562A1, 申请日期: 1997-11-06, 公开日期: 1997-11-06
作者:  MORIKAWA TAKENORI
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Impact parameter selected nuclear temperatures of hot nuclei from excited state populations for Ar-40+Au-197 reactions at E/A=25MeV 期刊论文
ZEITSCHRIFT FUR PHYSIK A-HADRONS AND NUCLEI, 1997, 卷号: 359, 页码: 247-250
作者:  Li, ZY;  He, ZY;  Duan, LM;  Jin, GM;  Wu, HY
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一个群论公式及其应用 期刊论文
1997
肖文俊
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2011/04/26
II-VI族化合物半導体の製造方法 专利
专利号: JP1997270564A, 申请日期: 1997-10-14, 公开日期: 1997-10-14
作者:  浅野 竹春
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31
半導体発光素子 专利
专利号: JP1997266352A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者:  早川 利郎
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
AlInGaN系半導体発光素子 专利
专利号: JP1997266351A, 申请日期: 1997-10-07, 公开日期: 1997-10-07
作者:  早川 利郎
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非全熔合反应裂变角分布 期刊论文
高能物理与核物理, 1997, 期号: 09
刘国兴; 陈克良; 于暹; 戴光曦
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