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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：1996     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半導体レ-ザ素子の製造方法 专利 专利号: JP2544924B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-16 作者:  高橋 向星;  須山 尚宏;  近藤 雅文;  早川 利郎 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 Study of molecular beam epitaxial growth and optical characteristics on HgCdTe 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA-OVERSEAS EDITION, 1996, 卷号: 5, 期号: 5, 页码: 370-376 作者:  Guo SP;  Zhang JM;  Liu PL;  Shen XC;  Yuan SX 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/11/21 Molecular beam epitaxy growth of CdTe on (211)A GaAs 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1996, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 3220 Yin, JJ; Huang, Q; Zhou, JM; Yin, JG 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2013/09/18 GAAS(100)   X-ray analysis of ZnSe/ZnSTe quantum structure 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 80, 期号: 4, 页码: 2518 Mai, ZH; Sou, IK; Luo, GM 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/23 Mechanism of different orientation of CdTe on GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 3714 Yin, JJ; Huang, Q; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2013/09/18 GROWTH  RHEED  XPS   Measurements of spatial and temporal sheath evolution inside tubular material for inner surface ion implantation 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS, 1996, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 3071 Sun, M; Yang, SZ; Chen, XC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/18 PLASMA  MODEL   Parametric study on lattice-matched and pseudomorphic InGaAs/InAlAs/InP modulation-doped heterostructures grown by GSMBE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1996, 卷号: 164, 期号: 1-4, 页码: 460-464 Chen, JX; Li, AZ; Ren, YC; Qi, M; Chang, YG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/25 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Demonstration of light-hole behavior in quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb quantum wells using infrared photoluminescence spectroscopy 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1996, 卷号: 69, 期号: 7, 页码: 952-954 Shen, WZ; Shen, SC; Tang, WG; Chang, Y; Zhao, Y; Liu, AZ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/25 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  LASERS   Growth and optical investigation of quaternary GaInAsSb/AlGaAsSb quantum wells 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 1996, 卷号: 40, 期号: 1-8, 页码: 143-147 Shen, SC; Shen, WZ; Tang, WG; Zhao, Y; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/25 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  DEVICE APPLICATIONS  MATERIAL PARAMETERS  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LASERS   Effects of point defects on lattice parameters of semiconductors 期刊论文 physical review b, 1996, 卷号: 54, 期号: 12, 页码: 8516-8521 Chen NF; Wang YT; He HJ; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAAS SINGLE-CRYSTALS  LOW-TEMPERATURE GAAS  DOPED GAAS  LAYERS  CARBON  DIFFRACTOMETER  GROWTH  SI