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混晶グレーデッドエピタキシャル基板 专利
专利号: JP1995120624B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者:  松本 卓
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半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1995120832B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者:  浜田 健;  伊藤 国雄
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18
Method of growing epitaxial layers 专利
专利号: US5476811, 申请日期: 1995-12-19, 公开日期: 1995-12-19
作者:  FUJII, TOSHIO;  SANDHU, ADARSH
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Semiconductor light emitting device with Group II-VI and III-V semiconductors 专利
专利号: US5477063, 申请日期: 1995-12-19, 公开日期: 1995-12-19
作者:  SHAKUDA, YUKIO
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26
Method for evaluating epitaxial layers and test pattern for process evaluation 专利
专利号: EP0632494A3, 申请日期: 1995-12-06, 公开日期: 1995-12-06
作者:  MIYASHITA, MOTOHARU, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;  OGASAWARA, NOBUYOSHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;  KIMURA, TADASHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
分布反射型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1995109922B2, 申请日期: 1995-11-22, 公开日期: 1995-11-22
作者:  狩野 文良;  東盛 裕一
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体発光装置の製造方法 专利
专利号: JP1995105550B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13
作者:  
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24
Method of fabricating semiconductor structures via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth 专利
专利号: US5436192, 申请日期: 1995-07-25, 公开日期: 1995-07-25
作者:  EPLER, JOHN E.;  PAOLI, THOMAS L.
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26
High performance gaas devices and method 专利
专利号: US5436499, 申请日期: 1995-07-25, 公开日期: 1995-07-25
作者:  NAMAVAR, FEREYDOON;  KALKHORAN, NADER M.
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分布帰還形半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP1995046746B2, 申请日期: 1995-05-17, 公开日期: 1995-05-17
作者:  佐久間 勇
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