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Method of making semiconductor laser device 专利
专利号: CA2103716C, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1991-02-19
作者:  KAGAWA HITOSHI
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Laser diode element with excellent intermodulation distortion characteristic 专利
专利号: US5469459, 申请日期: 1995-11-21, 公开日期: 1995-11-21
作者:  OKUDA, TETSURO;  YAMADA, HIROHITO;  TORIKAI, TOSHITAKA
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半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1995105558B2, 申请日期: 1995-11-13, 公开日期: 1995-11-13
作者:  本多 正治;  浜田 弘喜
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半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1995097687B2, 申请日期: 1995-10-18, 公开日期: 1995-10-18
作者:  魚見 和久;  茅根 直樹;  梶村 俊;  福沢 董;  佐々木 義光
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Halbleiterlaserverstärkereinheit hoher Verstärkung. 专利
专利号: DE69022151D1, 申请日期: 1995-10-12, 公开日期: 1995-10-12
作者:  MARSHALL IAN WILLIAM WOODBRIDGE SUFFOLK IP12 1HA GB
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超短光パルス半導体レーザ装置および波長変換型超短光パルス発生装置 专利
专利号: JP1995093475B2, 申请日期: 1995-10-09, 公开日期: 1995-10-09
作者:  雄谷 順;  藤田 俊弘
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半導体レ-ザ装置 专利
专利号: JP1995093472B2, 申请日期: 1995-10-09, 公开日期: 1995-10-09
作者:  南原 成二
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Semiconductor laser with optimum resonator 专利
专利号: US5438583, 申请日期: 1995-08-01, 公开日期: 1995-08-01
作者:  NARUI, HIRONOBU;  DOI, MASATO;  SAHARA, KENJI;  MATSUDA, OSAMU
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Multiquantum barrier laser having high electron and hole reflectivity of layers 专利
专利号: US5425041, 申请日期: 1995-06-13, 公开日期: 1995-06-13
作者:  SEKO, YASUJI;  UEYANAGI, KIICHI;  SHIRAKI, YASUHIRO
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光素子 专利
专利号: JP1995050808B2, 申请日期: 1995-05-31, 公开日期: 1995-05-31
作者:  山口 昌幸
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