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High performance gaas devices and method 专利
专利号: US5436499, 申请日期: 1995-07-25, 公开日期: 1995-07-25
作者:  NAMAVAR, FEREYDOON;  KALKHORAN, NADER M.
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半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1995028097B2, 申请日期: 1995-03-29, 公开日期: 1995-03-29
作者:  大川 和宏;  三露 常男;  山崎 攻
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氢化物-原子吸收光谱法测定六味地黄丸中砷和锑 期刊论文
1995
李璇玲; 杨成隆; 周佩珊; 郑一民; 王小如
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2016/05/17
MASS DISTRIBUTIONS OF BINARY ALUMINUM CLUSTER ANIONS AL(N)X(M)(-) (X=O, S, P, AS, C) 期刊论文
1995
LIU, ZY; WANG, CR; HUANG, RB; 黄荣彬; ZHENG, LS; 郑兰荪
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2012/10/15
SEQUENTIAL DETERMINATION OF ARSENITE AND ARSENATE BY ION CHROMATOGRAPHY 期刊论文
ANALYTICA CHIMICA ACTA, 1995, 卷号: 307, 期号: 1, 页码: 79-87
作者:  LI, ZL;  MOU, SF;  NI, ZM;  RIVIELLO, JM
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