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| 半導体レ-ザ装置の製造方法 专利 专利号: JP1994101609B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12 作者: 長谷川 光利; 原 利民; 野尻 英章; 関口 芳信; 宮沢 誠一 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 装荷型方向性結合器 专利 专利号: JP1994097315B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30 作者: 石野 正人; 松井 康 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 埋め込みヘテロ構造半導体デバイスの製作方法 专利 专利号: JP1994093527B2, 申请日期: 1994-11-16, 公开日期: 1994-11-16 作者: ロナルド·ジヤ-ル·ネルソン; ランダル·ブリアン·ウイルソン 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| Method of producing a semiconductor laser 专利 专利号: US5365537, 申请日期: 1994-11-15, 公开日期: 1994-11-15 作者: SATO, KIYOTAKA; TOGURA, KENJI 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Method for fabricating an optical semiconductor device 专利 专利号: US5360763, 申请日期: 1994-11-01, 公开日期: 1994-11-01 作者: NAKAMURA, TAKAHIRO 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| High efficiency VCSEL and method of fabrication 专利 专利号: US5359618, 申请日期: 1994-10-25, 公开日期: 1994-10-25 作者: LEBBY, MICHAEL S.; SHIEH, CHAN-LONG; LEE, HSING-CHUNG 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Semiconductor laser including an aluminum-rich AlGaAs etch stopping layer 专利 专利号: US5357535, 申请日期: 1994-10-18, 公开日期: 1994-10-18 作者: SHIMA, AKIHIRO; MIURA, TAKESHI; KADOWAKI, TOMOKO; HAYAFUJI, NORIO 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP1994080858B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12 作者: 岡村 茂; 田口 孝雄; 和田 修 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP1994080856B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12 作者: 斉藤 勝利; 辻 伸二; 大石 昭夫; 茅根 直樹 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザ素子 专利 专利号: JP1994080869B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12 作者: 山本 三郎; 細田 昌宏; 佐々木 和明; 近藤 正樹 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13 |