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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：1994     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP1994056911B2, 申请日期: 1994-07-27, 公开日期: 1994-07-27 作者:  ▲崎▼山 肇;  田中 治夫;  虫上 雅人 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 GROWTH-KINETICS OF GASB BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1994, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 217-220 WEI, GY; PENG, RW 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/25 GALLIUM ANTIMONIDE  MOVPE   REACTION-KINETICS CONTROL IN PREPARATION OF CDTE AND HGCDTE BY HOT-WALL METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY 期刊论文 JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 1994, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 221-224 DING, YQ; WEI, GY; PENG, RW 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/25 GROWTH  DEPOSITION  MOVPE  UNIFORMITY  MOCVD   BAND-STRUCTURE OF MG1-XZNXSYSE1-Y 期刊论文 semiconductor science and technology, 1994, 卷号: 9, 期号: 4, 页码: 349-355 TEO KL; FENG YP; LI MF; CHONG TC; XIA JB 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 QUANTUM-WELL STRUCTURES  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON CORRELATION  GAAS SUBSTRATE  SEMICONDUCTORS  ZNSE  ZNMGSSE  GROWTH  MASSES  GAP   MOCVD GaAlAs/GaAs超晶格量子阱材料的研制及应用 成果 院科技进步奖: 二等奖, 1994 杨辉; 梁骏吾; 邓礼生; 郑联喜; 胡雄伟 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/04/13 MOCVD   HIGH-RESOLUTION PHOTOLUMINESCENCE STUDIES OF (211) CDTE GROWN ON (211)B GAAS SUBSTRATE 期刊论文 journal of crystal growth, 1994, 卷号: 140, 期号: 0, 页码: 287-290 CHEN SD; LIN L; HE XZ; XU ZY; LUO CP; XU JZ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FILMS