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发表日期:1993
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Method of fabricating a semiconductor laser
专利
专利号: US5268328, 申请日期: 1993-12-07, 公开日期: 1993-12-07
作者:
MORI, YOSHIHIRO
;
MANNOH, MASAYA
;
KAMIYAMA, SATOSHI
;
OHNAKA, KIYOSHI
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
DESIGN AND USE OF A THERMAL-CONDUCTIVITY DETECTOR AT REDUCED PRESSURE FOR TEMPERATURE-PROGRAMMED CAPILLARY GAS-CHROMATOGRAPHY
期刊论文
JOURNAL OF CHROMATOGRAPHY A, 1993, 卷号: 655, 期号: 2, 页码: 243-247
作者:
GUAN, YF
;
ZHU, DQ
;
ZHOU, LM
;
LI, LG
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/06/20
Semiconductor laser device
专利
专利号: EP0557638A3, 申请日期: 1993-11-10, 公开日期: 1993-11-10
作者:
ARIMOTO, SATOSHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
;
NISHIMURA, TAKASHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
;
MOTODA, TAKASHI, C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/01/13
Phased array semiconductor laser
专利
专利号: EP0206496B1, 申请日期: 1993-10-20, 公开日期: 1993-10-20
作者:
THORNTON, ROBERT L.
;
BURNHAM, ROBERT D.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/18
Conductive Properties of Electron Beam Evaporated a-Si_(1-x) Gd_x Films
期刊论文
Journal of Rare Earths, 1993, 卷号: 11, 期号: 3, 页码: 220-222
作者:
Gan RJ(甘润今)
;
Zhang JY(张津燕)
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提交时间:2015/06/24
Conductivity
Rare earth
a-Si film
Dangling bond
Laser diode for producing an optical beam at a visible wavelength
专利
专利号: US5241553, 申请日期: 1993-08-31, 公开日期: 1993-08-31
作者:
TANAKA, HITOSHI
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
-
专利
专利号: JP1993052927B2, 申请日期: 1993-08-06, 公开日期: 1993-08-06
作者:
TAKEUCHI MIKIO
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/01/13
Integration of transistors with vertical cavity surface emitting lasers
专利
专利号: WO1993014520A1, 申请日期: 1993-07-22, 公开日期: 1993-07-22
作者:
OLBRIGHT, GREGORY, R.
;
JEWELL, JACK, L.
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/31
-
专利
专利号: JP1993046116B2, 申请日期: 1993-07-13, 公开日期: 1993-07-13
作者:
IDE JUICHI
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/18
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专利
专利号: JP1993045078B2, 申请日期: 1993-07-08, 公开日期: 1993-07-08
作者:
MURAKAMI TOMOKI
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/01/13
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