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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：1993    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774 ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 LIQUID-PHASE EPITAXY  100 GAAS  TRANSIENT SPECTROSCOPY  OPTICAL-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  SILICON  VACANCY  DEFECTS  TRAPS   GROWTH OF HIGH-QUALITY GALLIUM-ARSENIDE ON HF-ETCHED SILICON (001) BY CHEMICAL BEAM EPITAXY 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 14, 页码: 1653-1655 XING YR; JAMAL Z; JOYCE TB; BULLOUGH TJ; KIELY CJ; GOODHEW PJ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM  TEMPERATURE  SI   RADIATIVE RECOMBINATION IN N-TYPE AND P-TYPE GAAS COMPENSATED WITH LI 期刊论文 journal of applied physics, 1993, 卷号: 74, 期号: 12, 页码: 7275-7287 GISLASON HP; YANG BH; PETURSSON J; LINNARSSON M 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 IMPLANTED GAAS  EMISSION   INVESTIGATION OF BURIED ALN LAYERS FORMED BY NITROGEN IMPLANTATION INTO AL 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1993, 卷号: 80-81, 期号: 0, 页码: 323-326 LIN C; LI Y; KILNER JA; CHATER RJ; LI J; NEJIM A; ZHANG JP; HEMMENT PLF 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/15 A NEW TYPE OF SILICON-ON-INSULATOR WITH A PERFECT SURFACE SILICON LAYER 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1993, 卷号: 74, 期号: 0, 页码: 204-205 LI JM; CHONG M; ZHU JC 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15 OXYGEN ANALYSES IN HIGH-TC SUPERCONDUCTING FILMS BY MEV PROTON ELASTIC BACKSCATTERING 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1993, 卷号: 83, 期号: 4, 页码: 552-556 JIANG WL; ZHU PR; YIN SD; XU TB; REN MM; ZHOU JS 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/11/15 THIN-FILMS   DETERMINATION OF THE CONDUCTION-BAND OFFSET OF A SINGLE ALGAAS BARRIER LAYER USING DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 22, 页码: 2813-2814 ZHU QS; MOU SM; ZHOU XC; ZHONG ZT 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15 QUANTUM WELLS  HETEROSTRUCTURES  GAAS   Intervalley Г-X deformation potentials in III-V zincblende and si senic-conductors by Ab Inition pseudopotential calculations 期刊论文 Communications in Theoretical Physics, 1993, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: 159 Wang Jianqing; Gu Zongquan; Li Mingfu; Lai Wuyan 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23