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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：1992     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoelectric device and manufacture thereof 专利 专利号: JP1992278593A, 申请日期: 1992-10-05, 公开日期: 1992-10-05 作者:  TAKIZAWA YASUSHI;  KOBAYASHI UICHIRO;  KOBAYASHI YOSHIHIKO;  TAKAHASHI YUKIO 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30 THE IDENTIFICATION OF SI DONOR STATES IN ALXGA1-XAS BY PHOTOLUMINESCENCE 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1063/1.351751, 1992 Kang, J. Y.; Huang, Q. S.; 康俊勇 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/12/12 LARGE-LATTICE-RELAXATION  TE-DOPED ALXGA1-XAS  DX-CENTER  ALGAAS  MBE   Modular package for cooling a laser diode array 专利 专利号: US5105429, 申请日期: 1992-04-14, 公开日期: 1992-04-14 作者:  MUNDINGER, DAVID C.;  BENETT, WILLIAM J.;  BEACH, RAYMOND J. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 FORMATION AND MAGNETIC-PROPERTIES OF RAPIDLY QUENCHED R2FE17CX (R=GD AND HO) COMPOUNDS WITH HIGHER-C CONCENTRATION 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1992, 卷号: 83, 期号: 10, 页码: 753 SHEN, BG; KONG, LS; CAO, L 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/09/17 TERNARY CARBIDES   BEHAVIOR OF TYPE-A AND TYPE-B HOLE TRAPS IN N-TYPE GAAS DURING LONG-PERIOD OPERATION 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 1992, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 1325-1329 ZHOU, JC; ZHAN, QB; FU, ZP; LU, DL; GUAN, LM; CHEN, HQ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/25 LPE