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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1991     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY ANALYSIS OF ION-BEAM INDUCED ANNEALING OF MEV AS+ ION-IMPLANTED SILICON 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1991, 卷号: 59, 页码: 434 ZHANG, BX; WANG, ZL; QI, L; ZHANG, PJ; ZHENG, JG; WANG, LC; DU, AY 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/09/17 INDUCED EPITAXIAL REGROWTH  AMORPHOUS-SILICON  RECRYSTALLIZATION  SI  DAMAGE  LAYERS   SPUTTERING ANGULAR-DISTRIBUTIONS OF INDIVIDUAL ELEMENTS FOR LOW-ENERGY AR ION IRRADIATION OF PTCU ALLOY 期刊论文 Chinese Physics Letters, 1991, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 44-47 L. P. Zheng; R. S. Li; M. Y. Li; W. Z. Shen; J. Y. Lin; Z. Y. Zou 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/04/14 bombardment-induced segregation  surface segregation  implantation  cu   HIGH-RESOLUTION ELECTRON-MICROSCOPY ANALYSIS OF ION-BEAM INDUCED ANNEALING OF MEV AS+ ION-IMPLANTED SILICON 其他 1991-01-01 ZHANG, BX; WANG, ZL; QI, L; ZHANG, PJ; ZHENG, JG; WANG, LC; DU, AY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 INDUCED EPITAXIAL REGROWTH  AMORPHOUS-SILICON  RECRYSTALLIZATION  SI  DAMAGE  LAYERS