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| J-C模型中辐射场动力学初期解析近似 期刊论文
量子电子学, 1990, 期号: 4, 页码: 355
作者: 潘锦芳; 张思玉; 吴美娟; 李师群
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| a-Si1@1-x@C1@x@:H钝化膜热稳定性的研究 期刊论文
兰州大学学报, 1990, 期号: 4, 页码: 38-43
作者: 张亚菲; 李亚红; 张仿清
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| 石英衬底对非晶体半导体薄膜ESR测量的影响 期刊论文
兰州大学学报, 1990, 期号: 4, 页码: 163-164
作者: 陈光华
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| 反应溅射法制备掺硼的a-Si∶H（B）薄膜的ESR研究 期刊论文
半导体学报, 1990, 期号: 12, 页码: 954-957
作者: 陈光华; 徐进章; 张仿清
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| B掺杂a-SiC:H_本征a-Si:H异质结中的B扩散 期刊论文
物理学报, 1990, 期号: 12, 页码: 1982-1988
作者: 张仿清; 贺德衍; 宋志忠; 柯宁; 陈光华
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| 0@62@Ni（n,α）0@59@Fe反应截面测量 期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 1990, 期号: 12, 页码: 1117-1120
作者: 王永昌; 袁俊谦; 任忠良; 杨景康; 项斯苍
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| Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1990296385A, 申请日期: 1990-12-06, 公开日期: 1990-12-06
作者:
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990296384A, 申请日期: 1990-12-06, 公开日期: 1990-12-06
作者: FUKUNAGA TOSHIAKI; HASHIMOTO AKIHIRO; WATANABE NOZOMI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990296383A, 申请日期: 1990-12-06, 公开日期: 1990-12-06
作者: WATANABE NOZOMI; FUKUNAGA TOSHIAKI; HASHIMOTO AKIHIRO
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990291189A, 申请日期: 1990-11-30, 公开日期: 1990-11-30
作者: UESUGI FUMITO
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