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| Sub-mount of semiconductor laser element heat dissipating body 专利
专利号: JP1990244688A, 申请日期: 1990-09-28, 公开日期: 1990-09-28
作者: WATANABE YASUMASA
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| Surface treatment method of gaas substrate 专利
专利号: JP1990210830A, 申请日期: 1990-08-22, 公开日期: 1990-08-22
作者: HIRAYAMA FUKUICHI; TAKEUCHI HIDEO
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| LASERDIODE MIT VERGRABENER DOPPELHETEROSTRUKTUR UND SEITLICHER STROMBEGRENZUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG 专利
专利号: DE4004749A1, 申请日期: 1990-08-16, 公开日期: 1990-08-16
作者: THULKE, WOLFGANG, DR., 8000 MUENCHEN, DE
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| Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1990202086A, 申请日期: 1990-08-10, 公开日期: 1990-08-10
作者: MATSUBARA KUNIO
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990194682A, 申请日期: 1990-08-01, 公开日期: 1990-08-01
作者: SAKIYAMA HAJIME; TANAKA HARUO; MUSHIGAMI MASAHITO
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1990194586A, 申请日期: 1990-08-01, 公开日期: 1990-08-01
作者: SAKIYAMA HAJIME; TANAKA HARUO; MUSHIGAMI MASAHITO
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| Epitaxial deposition 专利
专利号: JP1990192126A, 申请日期: 1990-07-27, 公开日期: 1990-07-27
作者: MATSUMOTO YOSHINARI
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| INSITU FE-57 MOSSBAUER SPECTROSCOPIC INVESTIGATIONS OF THE EFFECT OF TITANIA SURFACE-AREA ON THE REDUCIBILITY OF TITANIA-SUPPORTED IRON-OXIDE 期刊论文
HYPERFINE INTERACTIONS, 1990, 卷号: 57, 期号: 1-4, 页码: 1747-1752
作者: BERRY, FJ; DU, HZ
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| Formation of epitaxial crystal layer and manufacture of stripe type semiconductor laser 专利
专利号: JP1990146788A, 申请日期: 1990-06-05, 公开日期: 1990-06-05
作者: FUJII TOSHIO; SANDOUUADARUSHIYU
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1990125682A, 申请日期: 1990-05-14, 公开日期: 1990-05-14
作者: ARIMOTO SATOSHI
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