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Semiconductor laser device and method of making same 专利
专利号: EP0390995A2, 申请日期: 1990-10-10, 公开日期: 1990-10-10
作者:  KAGAWA, HITOSHI C/O MITSUBISHI DENKI K.K.;  YAGI, TETSUYA C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
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Surface treatment method of gaas substrate 专利
专利号: JP1990210830A, 申请日期: 1990-08-22, 公开日期: 1990-08-22
作者:  HIRAYAMA FUKUICHI;  TAKEUCHI HIDEO
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Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide 专利
专利号: US4949349, 申请日期: 1990-08-14, 公开日期: 1990-08-14
作者:  OHBA, YASUO;  WATANABE, NIYOKO;  SUGAWARA, HIDETO;  ISHIKAWA, MASAYUKI;  WATANABE, YUKIO
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1990159785A, 申请日期: 1990-06-19, 公开日期: 1990-06-19
作者:  HAMAO NOBORU
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Growth and Characterization of Thallium Arsenic Selenide Crystals for Nonlinear Optical Applications 期刊论文
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 1990, 卷号: 20, 期号: 1-2, 页码: 175-188
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职业性接触砷、铅工人外周淋巴细胞染色体畸变和姐妹染色单体交换率的变化 期刊论文
动物学研究, 1990, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 103-108
作者:  刘爱华;  贺维顺;  熊习昆;  林世英;  赵桂芬
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