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西安光学精密机械研究... [4]
上海技术物理研究所 [1]
昆明动物研究所 [1]
内容类型
专利 [4]
期刊论文 [2]
发表日期
1990 [6]
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发表日期:1990
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Semiconductor laser device and method of making same
专利
专利号: EP0390995A2, 申请日期: 1990-10-10, 公开日期: 1990-10-10
作者:
KAGAWA, HITOSHI C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
;
YAGI, TETSUYA C/O MITSUBISHI DENKI K.K.
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提交时间:2019/12/31
Surface treatment method of gaas substrate
专利
专利号: JP1990210830A, 申请日期: 1990-08-22, 公开日期: 1990-08-22
作者:
HIRAYAMA FUKUICHI
;
TAKEUCHI HIDEO
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
Double-heterostructure semiconductor with mesa stripe waveguide
专利
专利号: US4949349, 申请日期: 1990-08-14, 公开日期: 1990-08-14
作者:
OHBA, YASUO
;
WATANABE, NIYOKO
;
SUGAWARA, HIDETO
;
ISHIKAWA, MASAYUKI
;
WATANABE, YUKIO
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/24
Manufacture of semiconductor laser
专利
专利号: JP1990159785A, 申请日期: 1990-06-19, 公开日期: 1990-06-19
作者:
HAMAO NOBORU
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2020/01/18
Growth and Characterization of Thallium Arsenic Selenide Crystals for Nonlinear Optical Applications
期刊论文
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials, 1990, 卷号: 20, 期号: 1-2, 页码: 175-188
-
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/06/05
职业性接触砷、铅工人外周淋巴细胞染色体畸变和姐妹染色单体交换率的变化
期刊论文
动物学研究, 1990, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 103-108
作者:
刘爱华
;
贺维顺
;
熊习昆
;
林世英
;
赵桂芬
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/08/24
砷
铅
染色体畸变
姐妹染色单体交换率
淋巴细胞
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