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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1989319987A, 申请日期: 1989-12-26, 公开日期: 1989-12-26
作者: MAEDA KATSUNOBU
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| Buried structure semiconductor laser 专利
专利号: JP1989313982A, 申请日期: 1989-12-19, 公开日期: 1989-12-19
作者: KOIZUMI YOSHIHIRO
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| Reflection-proof coating 专利
专利号: JP1989287986A, 申请日期: 1989-11-20, 公开日期: 1989-11-20
作者: DEIBITSUDO JIYON ERUTON; UIRIAMU JIYON DEBURIN
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1989283890A, 申请日期: 1989-11-15, 公开日期: 1989-11-15
作者: OTAKI KANAME
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| - 专利
专利号: JP1989037873B2, 申请日期: 1989-08-09, 公开日期: 1989-08-09
作者: MUSHIGAMI MASAHITO; TANAKA HARUO; ISHIDA JUJI; NAKADA NAOTARO
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| Superlattice laser equipped with external modulator 专利
专利号: JP1989073688A, 申请日期: 1989-03-17, 公开日期: 1989-03-17
作者: FURUYA AKIRA; MAKIUCHI MASAO; WADA OSAMU
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| Method of controlling forbidden band width of semiconductor superlattice 专利
专利号: JP1989059978A, 申请日期: 1989-03-07, 公开日期: 1989-03-07
作者: FURUYA AKIRA; MAKIUCHI MASAO; WADA OSAMU
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| A STUDY OF MOLECULAR ARSENIC ION-IMPLANTATION IN SILICON 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1989, 卷号: Aug-37, 页码: 384-386
LIN, CL; FANG, ZW; ZHOU, W; NI, RS; Zou, SC(邹世昌）
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