|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| Compound semiconductor layer 专利
专利号: JP1988284808A, 申请日期: 1988-11-22, 公开日期: 1988-11-22
作者: SHINOHARA MASANORI; YANAGAWA FUMIHIKO
  收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988263790A, 申请日期: 1988-10-31, 公开日期: 1988-10-31
作者: YAGI TETSUYA
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Distributed reflection semiconductor laser element 专利
专利号: JP1988255985A, 申请日期: 1988-10-24, 公开日期: 1988-10-24
作者: OGAWA HIROSHI; OSHIBA SAEKO; MATOBA AKIHIRO; KOBAYASHI MASAO
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Distributed reflection semiconductor laser element 专利
专利号: JP1988255986A, 申请日期: 1988-10-24, 公开日期: 1988-10-24
作者: OGAWA HIROSHI; WADA HIROSHI; KAWAHARA MASATO; KOBAYASHI MASAO
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Method for vapor growth of lanthanoid element doped semiconductor 专利
专利号: JP1988184324A, 申请日期: 1988-07-29, 公开日期: 1988-07-29
作者: UEI KUNIHIKO; TAKAHEI KENICHIRO; NAKAGOME HIROSHI
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988181391A, 申请日期: 1988-07-26, 公开日期: 1988-07-26
作者: KUWAMURA YUJI
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Semiconductor laser of buried structure 专利
专利号: JP1988178576A, 申请日期: 1988-07-22, 公开日期: 1988-07-22
作者: KATOU YOSHITAKE
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988164485A, 申请日期: 1988-07-07, 公开日期: 1988-07-07
作者: SHIMADA KATSUTO
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Etching of semiconductor laser element 专利
专利号: JP1988148694A, 申请日期: 1988-06-21, 公开日期: 1988-06-21
作者: KITAMURA SHOJI
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/31 |
| Compound semiconductor crystal 专利
专利号: JP1988140519A, 申请日期: 1988-06-13, 公开日期: 1988-06-13
作者: TSUJI TSUTOMU
收藏 | 浏览/下载：36/0 | 提交时间：2020/01/18 |
