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一种离子轰击减薄装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1988-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
王凤莲; 褚一鸣; 陆珉华
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Laser diode transmitter with a protection device 专利
专利号: EP0296427A1, 申请日期: 1988-12-28, 公开日期: 1988-12-28
作者:  DÖMER, JOSEF, DIPL.-ING.
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/31
[Sc(NO_3)_3(H_2O)_2]·(B15C5)的合成、性质和结构 期刊论文
高等学校化学学报, 1988, 期号: 12, 页码: 1217-1221
作者:  谭民裕;  甘新民;  唐宁;  邹今平;  祝英
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在APDC和Triton-305存在下荧光光度法测定微量银 期刊论文
冶金分析, 1988, 期号: 6, 页码: 47-48
作者:  许俊英;  吴云霞;  王怀公
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2015/04/23
Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988310191A, 申请日期: 1988-12-19, 公开日期: 1988-12-19
作者:  HASHIMOTO AKIHIRO;  KAMIJO TAKESHI;  FUKUNAGA TOSHIAKI
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Heat sink for semiconductor laser 专利
专利号: JP1988308991A, 申请日期: 1988-12-16, 公开日期: 1988-12-16
作者:  KOIZUMI YOSHIHIRO
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1988307793A, 申请日期: 1988-12-15, 公开日期: 1988-12-15
作者:  SASAKI KAZUAKI;  HOSODA MASAHIRO;  KONDO MASAKI;  YAMAMOTO SABURO
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1988304688A, 申请日期: 1988-12-12, 公开日期: 1988-12-12
作者:  TAKIGAWA SHINICHI;  ITO KUNIO
收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18
用DSPCF光度法测定NO_2~-和NO_3~- 期刊论文
分析化学, 1988, 期号: 11, 页码: 1009-1011
作者:  赵心伟;  寇宗燕;  胡之德
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Semiconductor laser 专利
专利号: JP1988288087A, 申请日期: 1988-11-25, 公开日期: 1988-11-25
作者:  SHIMADA KATSUTO
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