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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1988     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Method for vapor growth of lanthanoid element doped semiconductor 专利 专利号: JP1988184324A, 申请日期: 1988-07-29, 公开日期: 1988-07-29 作者:  UEI KUNIHIKO;  TAKAHEI KENICHIRO;  NAKAGOME HIROSHI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 三(1-苯基-3-甲基-4-三氟乙酰-5-吡唑啉酮)二(二甲亚砜)合钕混合配体配合物的合成及晶体结构的研究 其他 1988-01-01 黄春辉; 邓安平; 韩玉真; 徐光宪; 林秀云; 郑启泰; 沈福苓; 张树德 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/10/24 晶体结构  吡唑啉酮  配位多面体  二甲亚砜  单斜晶体  原子组成  四圆衍射仪  键长  红外光谱  稀土配合物