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| Manufacture of semiconductor laser 专利 专利号: JP1987256490A, 申请日期: 1987-11-09, 公开日期: 1987-11-09 作者: YAMASHITA SHIGEO; UOMI KAZUHISA; KONO TOSHIHIRO; ONO YUICHI; KAJIMURA TAKASHI 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Manufacture of compound semiconductor device 专利 专利号: JP1987144317A, 申请日期: 1987-06-27, 公开日期: 1987-06-27 作者: YOSHIKAWA AKIO; HIROSE MASANORI; YAMAMOTO ATSUYA; SUGINO TAKASHI 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Means for a self-aligned multilayer laser epitaxy structure device 专利 专利号: US4665525, 申请日期: 1987-05-12, 公开日期: 1987-05-12 作者: ACKLEY, DONALD E.; ENGELMANN, REINHART W. H.; INOUYE, TERUKO K. 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Semiconductor laser 专利 专利号: JP1987088390A, 申请日期: 1987-04-22, 公开日期: 1987-04-22 作者: KITAMURA MITSUHIRO 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Manufacture of semiconductor light emission element 专利 专利号: JP1987042594A, 申请日期: 1987-02-24, 公开日期: 1987-02-24 作者: KUSUKI TOSHIHIRO 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| ORIENTATION RELATIONSHIP OF DECAGONAL QUASI-CRYSTAL AND TENFOLD TWINS IN RAPIDLY COOLED AL-FE ALLOY 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 1987, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 4526 ZOU, XD; FUNG, KK; KUO, KH 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2013/09/24 |
| CRYSTAL STRUCTURE DETERMINATION OF MUNG BEAN TRYPSIN INHIBITOR Lys FRAGMENT-BOVINE TRYPSIN COMPLEX——MOLECULAR REPLACEMENT,ELECTRON DENSITY MAP AT 3.0 ■ RESOLUTION 期刊论文 Science in China,Ser.B, 1987 曾杰; 陈忠国; 李根培; 卫新成; 卢光莹; 唐有祺; 林光大; 张荣光; 宣建成; 戚正武; 曹天钦 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2017/12/04
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| INVESTIGATION OF CT-COMPLEXATION AMONG HOMOLOGOUS ELECTRON DONORS AND HOMLOGOUS ACCEPTORS II. GEOMETRICAL MATCH EFFECT 期刊论文 ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 1987, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 298-305 作者: Chiang Mingchien; Hu Weixiao 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/04/09 |
| ELECTROCHEMICAL STUDY ON THE POISONING INTERMEDIATE FORMED FROM METHANOL DISSOCIATION AT LOW INDEX AND STEPPED PLATINUM SURFACES 期刊论文 1987 Sun, S. G.; Clavilier, J.; 孙世刚 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2013/12/12 |