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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1986255086A, 申请日期: 1986-11-12, 公开日期: 1986-11-12
作者:  KOJIMA KEISUKE;  ARANISHI TOSHIO;  HISAMA KAZUO
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底吹氧气连续炼铅过程喷射区物理模拟研究 学位论文
硕士: 中国科学院研究生院, 1986
魏伟胜
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Semiconductor laser module 专利
专利号: JP1986043494A, 申请日期: 1986-03-03, 公开日期: 1986-03-03
作者:  KAMATA TORU;  SHINUMA NAOTERU
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