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科研机构
北京大学 [1]
兰州大学 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
专利 [1]
其他 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
1986 [3]
学科主题
408 Struct... [1]
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共3条,第1-3条
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发表日期:1986
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Manufacture of semiconductor device
专利
专利号: JP1986216319A, 申请日期: 1986-09-26, 公开日期: 1986-09-26
作者:
OSAKA SHIGEO
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提交时间:2020/01/18
高碳钢马氏体亚结构的形成与相变开裂
期刊论文
金属学报/Jinshu Xuebao/Acta Metallurgica Sinica, 1986, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: a393-a402
作者:
蒋生蕊
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提交时间:2015/04/27
马氏体转变:4837
马氏体亚结构:4117
应力强度因子:4022
高碳钢:3440
相变驱动力:2563
马氏体相变:2531
塑性应变:2335
塑性变形:2097
内外应力场:2096
开裂:2095
HIGH CARBON STEEL
K-S MODEL
与煤结构和煤液化有关的五个模型化合物热解反应动力学的研究
其他
1986-01-01
杨晓林
;
杨惠星
;
韩德刚
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提交时间:2015/10/24
反应动力学
模型化合物
煤液化
反应机理
二苯甲烷
氢转移
速度常数
苄醚
煤结构
反应结果
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