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Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1986216319A, 申请日期: 1986-09-26, 公开日期: 1986-09-26
作者:  OSAKA SHIGEO
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高碳钢马氏体亚结构的形成与相变开裂 期刊论文
金属学报/Jinshu Xuebao/Acta Metallurgica Sinica, 1986, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: a393-a402
作者:  蒋生蕊
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与煤结构和煤液化有关的五个模型化合物热解反应动力学的研究 其他
1986-01-01
杨晓林; 杨惠星; 韩德刚
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