CORC

浏览/检索结果: 共16条,第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
Manufacture of 3-dimensional quantum well semiconductor laser 专利
专利号: JP1985250684A, 申请日期: 1985-12-11, 公开日期: 1985-12-11
作者:  YANASE TOMOO;  NISHI KENICHI;  KATOU YOSHITAKE;  YAMAGUCHI MASAYUKI
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31
Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1985189983A, 申请日期: 1985-09-27, 公开日期: 1985-09-27
作者:  NISHI KENICHI
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
Manufacture of multiple quantum well semiconductor laser 专利
专利号: JP1985152087A, 申请日期: 1985-08-10, 公开日期: 1985-08-10
作者:  MITA AKIRA;  YANASE TOMOO
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18
- 专利
专利号: JP1985029239B2, 申请日期: 1985-07-09, 公开日期: 1985-07-09
作者:  TSUJI TAKAO
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13
镍硫化物阳极溶解的电化学研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院, 1985
方兆珩
收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2013/09/27
Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1985101988A, 申请日期: 1985-06-06, 公开日期: 1985-06-06
作者:  TAKESHIMA MASUMI
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13
Digital control of diode laser for atmospheric spectroscopy 专利
专利号: US4509130, 申请日期: 1985-04-02, 公开日期: 1985-04-02
作者:  MENZIES;  ROBERT T.;  RUTLEDGE;  CHARLES W.
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/23
高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H 薄膜晶化特性的影响 期刊论文
半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1985, 期号: 3, 页码: 323-325
作者:  张仿清;  张南屏;  余光明;  汤训虎;  陈光华
收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2015/04/23
Driving circuit of semiconductor laser 专利
专利号: JP1985032145A, 申请日期: 1985-02-19, 公开日期: 1985-02-19
作者:  NISHINOMIYA MASANOBU;  SHIBATA ISAMU
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13
Driving circuit of semiconductor laser 专利
专利号: JP1985032146A, 申请日期: 1985-02-19, 公开日期: 1985-02-19
作者:  NISHINOMIYA MASANOBU;  SHIBATA ISAMU
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace