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| Manufacture of 3-dimensional quantum well semiconductor laser 专利 专利号: JP1985250684A, 申请日期: 1985-12-11, 公开日期: 1985-12-11 作者: YANASE TOMOO; NISHI KENICHI; KATOU YOSHITAKE; YAMAGUCHI MASAYUKI 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Semiconductor light emitting element 专利 专利号: JP1985189983A, 申请日期: 1985-09-27, 公开日期: 1985-09-27 作者: NISHI KENICHI 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Manufacture of multiple quantum well semiconductor laser 专利 专利号: JP1985152087A, 申请日期: 1985-08-10, 公开日期: 1985-08-10 作者: MITA AKIRA; YANASE TOMOO 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| - 专利 专利号: JP1985029239B2, 申请日期: 1985-07-09, 公开日期: 1985-07-09 作者: TSUJI TAKAO 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 镍硫化物阳极溶解的电化学研究 学位论文 博士: 中国科学院研究生院, 1985 方兆珩 收藏  |  浏览/下载:54/0  |  提交时间:2013/09/27 |
| Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1985101988A, 申请日期: 1985-06-06, 公开日期: 1985-06-06 作者: TAKESHIMA MASUMI 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Digital control of diode laser for atmospheric spectroscopy 专利 专利号: US4509130, 申请日期: 1985-04-02, 公开日期: 1985-04-02 作者: MENZIES; ROBERT T.; RUTLEDGE; CHARLES W. 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/23 |
| 高温退火对GDa-Si_xC_(1-x):H 薄膜晶化特性的影响 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1985, 期号: 3, 页码: 323-325 作者: 张仿清; 张南屏; 余光明; 汤训虎; 陈光华 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2015/04/23
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| Driving circuit of semiconductor laser 专利 专利号: JP1985032145A, 申请日期: 1985-02-19, 公开日期: 1985-02-19 作者: NISHINOMIYA MASANOBU; SHIBATA ISAMU 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Driving circuit of semiconductor laser 专利 专利号: JP1985032146A, 申请日期: 1985-02-19, 公开日期: 1985-02-19 作者: NISHINOMIYA MASANOBU; SHIBATA ISAMU 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2020/01/13 |