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| Manufacture of semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1985208825A, 申请日期: 1985-10-21, 公开日期: 1985-10-21
作者: TANAHASHI TOSHIYUKI; OKAZAKI JIROU
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| Package for semiconductor device 专利
专利号: JP1985202959A, 申请日期: 1985-10-14, 公开日期: 1985-10-14
作者: WATANABE HIDEKI; YAMAMOTO MASAKAZU
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| Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1985160622A, 申请日期: 1985-08-22, 公开日期: 1985-08-22
作者: FUKUDA HIROKAZU; SHINOHARA KOUJI; NISHIJIMA YOSHITO; EBE KOUJI
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| Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1985120583A, 申请日期: 1985-06-28, 公开日期: 1985-06-28
作者: NISHIJIMA YOSHITO; FUKUDA HIROKAZU; EBE KOUJI; SHINOHARA KOUJI
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1985046085A, 申请日期: 1985-03-12, 公开日期: 1985-03-12
作者: OOSAWA KAZUHIRO
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1985009189A, 申请日期: 1985-01-18, 公开日期: 1985-01-18
作者: ITOU KUNIO; WADA MASARU; SHIMIZU YUUICHI
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| MnS和TiN夹杂物共同对高强钢韧性的影响性及断裂特性的影响 学位论文
硕士: 中国科学院金属研究所, 1985
陈赛克
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2013/04/24 |
| 高强度钢中TiN夹杂物对断裂韧性的影响 学位论文
硕士: 中国科学院金属研究所, 1985
章为夷
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2013/04/24 |
| POTENTIOMETRIC STRIPPING ANALYSIS FOR TIN WITH A GOLD FILM ELECTRODE FORMED INSITU ON GLASSY-CARBON 期刊论文
ANALYTICA CHIMICA ACTA, 1985, 卷号: 172, 期号: JUN
作者: SUN, W; WANG, EK
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| POTENTIOMETRIC STRIPPING ANALYSIS FOR TIN WITH A GOLD FILM ELECTRODE FORMED INSITU ON GLASSY-CARBON 期刊论文
analytica chimica acta, 1985, 卷号: 172, 期号: jun, 页码: 365-370
WANG EK; SUN W
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2012/06/14 |
