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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1985     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 ELECTRONIC EFFECTS OF La AT THE Si-SiO_2 INTERFACE 期刊论文 Journal of Electronics(China), 1985, 期号: 4, 页码: 350-353 作者:  Li SY(李思渊);  Zhang TJ(张同军) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/06/24 annealing  interfaces  wafer  兰州大学学报  dioxide  annealed  毓珍  remove  remarkably  linking