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| 贵金属元素电分析化学研究(Ⅲ)——阳极溶出伏安法测定金及钯中的杂质 期刊论文
贵金属, 1984, 期号: 4, 页码: 28-32
作者: 张玉祥; 王春明; 雷绍荣; 陆浩
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| Distribution feedback type semiconductor laser element 专利
专利号: JP1984225584A, 申请日期: 1984-12-18, 公开日期: 1984-12-18
作者: UNO TOMOAKI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1984219974A, 申请日期: 1984-12-11, 公开日期: 1984-12-11
作者: NAKAO ICHIROU
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1984210687A, 申请日期: 1984-11-29, 公开日期: 1984-11-29
作者: KOBAYASHI MASAYOSHI; HIRAO MOTONAO; TAKEDA YUTAKA; YAMASHITA SHIGEO; AIKI KUNIO
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| Semiconductor laser 专利
专利号: JP1984205786A, 申请日期: 1984-11-21, 公开日期: 1984-11-21
作者: KASAHARA KENICHI
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| Semiconductor light emitting device 专利
专利号: JP1984181686A, 申请日期: 1984-10-16, 公开日期: 1984-10-16
作者: YANO MITSUHIRO
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| Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1984181082A, 申请日期: 1984-10-15, 公开日期: 1984-10-15
作者: MATSUMOTO SHIYOUHEI
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| Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1984172287A, 申请日期: 1984-09-28, 公开日期: 1984-09-28
作者: HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABUROU; KANEIWA SHINJI; MATSUI KANEKI
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| Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1984168687A, 申请日期: 1984-09-22, 公开日期: 1984-09-22
作者: YAMAGUCHI MASAYUKI; UEHARA KUNIO
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| Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1984167086A, 申请日期: 1984-09-20, 公开日期: 1984-09-20
作者: NAKAO ICHIROU; HATADA KENZOU
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