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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：1983     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Semicondutor device 专利 专利号: JP1983155720A, 申请日期: 1983-09-16, 公开日期: 1983-09-16 作者:  YOSHIKAWA AKIO;  SUGINO TAKASHI;  KAZUMURA MASARU;  OOTA KAZUNARI 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 用硅烷和乙烯辉光放电法制备的a-Si_xC_(1-x):H薄膜及光电性能的研究 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 1983, 卷号: 4, 期号: 2, 页码: 149-153 作者:  陈光华;  张仿清;  杜宁;  徐希翔;  黄士生 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 辉光放电法:6811  光电性能:6195  乙烯:1858  光学带隙:1511  太阳能电池:1377  硅烷:1353  衬底温度:1237  吸收谱:1189  光电导特性:1184  含碳量:1182   OPTICAL AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF A-SIXC1-X-H FILMS PREPARED BY GLOW-DISCHARGE FROM SIH4 AND C2H4 期刊论文 SOLAR ENERGY MATERIALS, 1983, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 413-420 - 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25