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| Semiconductor light emitting device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1983220485A, 申请日期: 1983-12-22, 公开日期: 1983-12-22
作者: TABUCHI HARUHIKO; HANAMITSU KIYOSHI
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| Liquid phase epitaxial growth 专利
专利号: JP1983215036A, 申请日期: 1983-12-14, 公开日期: 1983-12-14
作者: KAWABATA YOSHIO; NISHIJIMA YOSHITO; FUKUDA HIROKAZU; YAMAMOTO KOUSAKU
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| Semiconductor laser element 专利
专利号: JP1983207691A, 申请日期: 1983-12-03, 公开日期: 1983-12-03
作者: YAMAMOTO SABUROU; HAYASHI HIROSHI; YANO MORICHIKA
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| Device and its method for liquid phase growth 专利
专利号: JP1983204528A, 申请日期: 1983-11-29, 公开日期: 1983-11-29
作者: KUSUKI TOSHIHIRO; ISOZUMI SHIYOUJI
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| UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. 专利
专利号: ES519470A0, 申请日期: 1983-11-16, 公开日期: 1983-11-16
作者: -
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| Method for liquid phase epitaxial growth 专利
专利号: JP1983196013A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者: KASHIWADA YASUTOSHI; KOUNO TOSHIHIRO; AIKI KUNIO; OOUCHI HIROBUMI
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| Method for liquid phase epitaxial growth 专利
专利号: JP1983196014A, 申请日期: 1983-11-15, 公开日期: 1983-11-15
作者: KASHIWADA YASUTOSHI; KAJIMURA TAKASHI; AIKI KUNIO; SHIGE NORIYUKI; SAWAI MASAAKI
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| Liquid phase epitaxial growth of 3-5 mixed crystal semiconductor 专利
专利号: JP1983194329A, 申请日期: 1983-11-12, 公开日期: 1983-11-12
作者: USUI AKIRA
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| Impurity doping method 专利
专利号: JP1983191427A, 申请日期: 1983-11-08, 公开日期: 1983-11-08
作者: HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABUROU; YANO MORICHIKA
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| Multilayer liquid-phase epitaxial growth method 专利
专利号: JP1983191429A, 申请日期: 1983-11-08, 公开日期: 1983-11-08
作者: KISHI YUTAKA; NAKAJIMA KAZUO; YAMAZAKI SUSUMU
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