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| Manufacture of semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1983220486A, 申请日期: 1983-12-22, 公开日期: 1983-12-22
作者: NISHITANI YORIMITSU
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| Liquid phase epitaxial growth 专利
专利号: JP1983168218A, 申请日期: 1983-10-04, 公开日期: 1983-10-04
作者: NAKAJIMA KAZUO
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| Preparation of buried hetero structured semiconductor laser 专利
专利号: JP1983142589A, 申请日期: 1983-08-24, 公开日期: 1983-08-24
作者: KITAMURA MITSUHIRO; KOBAYASHI ISAO
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| Sole axial mode semiconductor laser 专利
专利号: JP1983139486A, 申请日期: 1983-08-18, 公开日期: 1983-08-18
作者: SEKI MASAFUMI; MITO IKUO
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| Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1983118178A, 申请日期: 1983-07-14, 公开日期: 1983-07-14
作者: SUZUKI AKIRA
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| Loquid phase epitaxial growth method 专利
专利号: JP1983107628A, 申请日期: 1983-06-27, 公开日期: 1983-06-27
作者: TAGUCHI KENSHIN
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| Manufacture of photointegrated circuit 专利
专利号: JP1983075878A, 申请日期: 1983-05-07, 公开日期: 1983-05-07
作者: ADACHI SADAO; NOGUCHI ETSUO
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1983009385A, 申请日期: 1983-01-19, 公开日期: 1983-01-19
作者: UENO SHINSUKE
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| 长波长InGaAsP和InGaAs探测器进展 期刊论文
电子技术, 1983, 期号: 08
徐国华
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| 合金三元和四元系无定形靶中离子射程研究 期刊论文
物理学报, 1983, 期号: 03
王德宁; 郭沪玲; 王渭源
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/03/29 |
