已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| Liquid phase epitaxial growth apparatus 专利 专利号: JP1983182223A, 申请日期: 1983-10-25, 公开日期: 1983-10-25 作者: OONAKA SEIJI; HASE NOBUYASU 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Growth method for semiconductor crystal 专利 专利号: JP1983175825A, 申请日期: 1983-10-15, 公开日期: 1983-10-15 作者: OOTA KAZUNARI; YOSHIKAWA AKIO; SUGINO TAKASHI; KAZUMURA MASARU 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Liquid phase epitaxial growth 专利 专利号: JP1983168219A, 申请日期: 1983-10-04, 公开日期: 1983-10-04 作者: ISOZUMI SHIYOUJI 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Liquid phase epitaxial growing method 专利 专利号: JP1983138037A, 申请日期: 1983-08-16, 公开日期: 1983-08-16 作者: YAMAMOTO KOUSAKU; KAWABATA YOSHIO; NISHIJIMA YOSHITO; FUKUDA HIROKAZU 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Semiconductor laser in embedded hetero structure 专利 专利号: JP1983067087A, 申请日期: 1983-04-21, 公开日期: 1983-04-21 作者: KITAMURA MITSUHIRO; MITO IKUO; KOBAYASHI ISAO 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Liquid phase epitaxial growth method of semiconductor 专利 专利号: JP1983046628A, 申请日期: 1983-03-18, 公开日期: 1983-03-18 作者: NAMISAKI HIROBUMI; SUZAKI WATARU; HIRANO RIYOUICHI 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Apparatus for liquid phase epitaxial growth 专利 专利号: JP1983021830A, 申请日期: 1983-02-08, 公开日期: 1983-02-08 作者: ITOU MICHIHARU; YOSHIKAWA MITSUO; HAMASHIMA SHIGEKI 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Carbon tibre micro-electrodes in the differential voltammetry of copper ions 期刊论文 Anal.Chim.Acta, 1983, 卷号: 151, 期号: 1 Ji Guo-liang 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/07/22 |
| 乙二胺与氢化钠使炔键由碳链的中间移向末端的反应 期刊论文 有机化学, 1983, 期号: 1, 页码: 52,28 张学海; 马洁; 周维善 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2013/01/15 |
| 对用72.5MeV_(12)C~(4+)轰击镍和不锈钢样品引起的辐照效应的研究 期刊论文 核技术, 1983, 期号: 6, 页码: 25-28+72 作者: 陈克勤; 程洁; 金运范; 侯明东; 李长林 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2015/12/25
|