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| Liquid-phase epitaxial growing method 专利 专利号: JP1982188828A, 申请日期: 1982-11-19, 公开日期: 1982-11-19 作者: YAMAMOTO KOOSAKU; SHINOHARA KOUJI; KAWABATA YOSHIO; NISHIJIMA YOSHINDO; FUKUDA HIROKAZU 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Manufacture of semiconductor device 专利 专利号: JP1982188829A, 申请日期: 1982-11-19, 公开日期: 1982-11-19 作者: ITOU MICHIHARU; YOSHIKAWA MITSUO; HAMASHIMA SHIGEKI; UEDA TOMOSHI 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Semiconductor laser and manufacture thereof 专利 专利号: JP1982184274A, 申请日期: 1982-11-12, 公开日期: 1982-11-12 作者: IKEDA KENJI; OOSAWA JIYUN; SUZAKI WATARU 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Vapor growth apparatus for 3-5 group compound semiconductor 专利 专利号: JP1982145314A, 申请日期: 1982-09-08, 公开日期: 1982-09-08 作者: MIZUTANI TAKASHI 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Gallium-arsenic semiconductor element 专利 专利号: JP1982104285A, 申请日期: 1982-06-29, 公开日期: 1982-06-29 作者: SHIMAZAKI MASAHIKO; KOSEMURA KINSHIROU 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| DISPOSITIF DE PROTECTION D'UNE DIODE LASER 专利 专利号: FR2495870A1, 申请日期: 1982-06-11, 公开日期: 1982-06-11 作者: CLAUDE, CLAVERIE, ET, JEAN-YVES, EOUZAN 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| DISPOSITIF DE PROTECTION D'UNE DIODE LASER 专利 专利号: FR2495870A1, 申请日期: 1982-06-11, 公开日期: 1982-06-11 作者: CLAUDE, CLAVERIE, ET, JEAN-YVES, EOUZAN 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Vapor-phase growing device for compound semiconductor 专利 专利号: JP1982027016A, 申请日期: 1982-02-13, 公开日期: 1982-02-13 作者: IWAMOTO MASAMI; KONNO KUNIAKI; BETSUPU TATSUROU 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| COULOMETRIC TITRATION OF THALLIUM(Ⅲ) WITH ELECTROGENERATED FERROCYANIDE ION 期刊论文 科学通报, 1982, 期号: 2, 页码: 236 作者: Ceng HX(曾华珗); Pan CD(潘承弟) 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2015/06/25
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| 2-取代-1,3-二氧六环-5-醇和1,3-二-O-烷基甘油的对甲苯磺酸酯的Finkelstein反应 其他 1982-01-01 叶秀林; 徐瑞秋; 张滂 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2015/10/24
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