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Liquid-phase epitaxial growing method 专利
专利号: JP1982188828A, 申请日期: 1982-11-19, 公开日期: 1982-11-19
作者:  YAMAMOTO KOOSAKU;  SHINOHARA KOUJI;  KAWABATA YOSHIO;  NISHIJIMA YOSHINDO;  FUKUDA HIROKAZU
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Manufacture of semiconductor device 专利
专利号: JP1982188829A, 申请日期: 1982-11-19, 公开日期: 1982-11-19
作者:  ITOU MICHIHARU;  YOSHIKAWA MITSUO;  HAMASHIMA SHIGEKI;  UEDA TOMOSHI
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Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1982184274A, 申请日期: 1982-11-12, 公开日期: 1982-11-12
作者:  IKEDA KENJI;  OOSAWA JIYUN;  SUZAKI WATARU
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Vapor growth apparatus for 3-5 group compound semiconductor 专利
专利号: JP1982145314A, 申请日期: 1982-09-08, 公开日期: 1982-09-08
作者:  MIZUTANI TAKASHI
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31
Gallium-arsenic semiconductor element 专利
专利号: JP1982104285A, 申请日期: 1982-06-29, 公开日期: 1982-06-29
作者:  SHIMAZAKI MASAHIKO;  KOSEMURA KINSHIROU
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DISPOSITIF DE PROTECTION D'UNE DIODE LASER 专利
专利号: FR2495870A1, 申请日期: 1982-06-11, 公开日期: 1982-06-11
作者:  CLAUDE, CLAVERIE, ET, JEAN-YVES, EOUZAN
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DISPOSITIF DE PROTECTION D'UNE DIODE LASER 专利
专利号: FR2495870A1, 申请日期: 1982-06-11, 公开日期: 1982-06-11
作者:  CLAUDE, CLAVERIE, ET, JEAN-YVES, EOUZAN
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Vapor-phase growing device for compound semiconductor 专利
专利号: JP1982027016A, 申请日期: 1982-02-13, 公开日期: 1982-02-13
作者:  IWAMOTO MASAMI;  KONNO KUNIAKI;  BETSUPU TATSUROU
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COULOMETRIC TITRATION OF THALLIUM(Ⅲ) WITH ELECTROGENERATED FERROCYANIDE ION 期刊论文
科学通报, 1982, 期号: 2, 页码: 236
作者:  Ceng HX(曾华珗);  Pan CD(潘承弟)
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2-取代-1,3-二氧六环-5-醇和1,3-二-O-烷基甘油的对甲苯磺酸酯的Finkelstein反应 其他
1982-01-01
叶秀林; 徐瑞秋; 张滂
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