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科研机构
半导体研究所 [2]
高能物理研究所 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
内容类型
期刊论文 [3]
专利 [1]
发表日期
1982 [4]
学科主题
半导体器件 [2]
Physics [1]
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发表日期:1982
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Semiconductor light emitting device with quantum well active region of indirect bandgap semiconductor material
专利
专利号: US4365260, 申请日期: 1982-12-21, 公开日期: 1982-12-21
作者:
HOLONYAK, JR., NICK
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/24
EXPERIMENTAL TESTS OF HIGHER-ORDER QUANTUM ELECTRODYNAMICS AT SMALL DISTANCES
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1982, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: #REF!
作者:
ADEVA, B
;
BARBER, DP
;
BECKER, U
;
BEI, GD
;
BERDUGO, J
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2016/04/13
A THEORETICAL-ANALYSIS ON TRANSMISSION CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR-LASERS
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1982, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 601-609
SHAN YZ
;
DU BX
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/15
SUPERHIGH DIFFERENTIAL QUANTUM EFFICIENCY AND STRONG SELF-SUSTAINED PULSATION IN CW DH LASER-DIODES
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 1982, 卷号: 18, 期号: 4, 页码: 595-601
WANG CM
;
ZHAO LQ
;
ZHUANG WR
;
CHANG JM
;
CHANG CS
;
WU ZQ
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
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