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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1982186383A, 申请日期: 1982-11-16, 公开日期: 1982-11-16
作者: SAKAMOTO TATSUJI; SHIMAOKA MAKOTO; SASAYAMA ATSUSHI; HIOKI SUSUMU
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| Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利号: JP1982184274A, 申请日期: 1982-11-12, 公开日期: 1982-11-12
作者: IKEDA KENJI; OOSAWA JIYUN; SUZAKI WATARU
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| Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1982183090A, 申请日期: 1982-11-11, 公开日期: 1982-11-11
作者: FURUYAMA HIDETO; UEMATSU YUTAKA
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| Liquid phase epitaxially growing device 专利
专利号: JP1982128025A, 申请日期: 1982-08-09, 公开日期: 1982-08-09
作者: AIKI KUNIO; FUNAKOSHI KIYOHIKO; KOUNO TOSHIHIRO; DOI KOUNEN; ITOU RIYOUICHI
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| - 专利
专利号: JP1982033878B2, 申请日期: 1982-07-20, 公开日期: 1982-07-20
作者: -
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| Liquid phase epitaxially growing method and device for gallium arsenide and /or aluminum gallium arsenide 专利
专利号: JP1982056925A, 申请日期: 1982-04-05, 公开日期: 1982-04-05
作者: KONDOU KAZUO
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| A Study of a High Temperature Nuclear Power Plant Incorporating a Non-Integrated Indirect Cycle Gas Turbine 会议论文
ASME, London,England, 1982-04-18
G.Sarlos; W.Helbling; E.Zollinger; N.Gregory; H.Luchsinger
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| The Effect of NaCl(g) in High Temperature Oxidation 会议论文
ASME, London,England, 1982-04-18
J.G.Smeggil; N.S.Bornstein
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| High Temperature Turbine Technology Readiness 会议论文
ASME, London,England, 1982-04-18
M.W.Horner; A.Caruvana
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| High Temperature Erosion-Corrosion in Gas Turbines 会议论文
ASME, London,England, 1982-04-18
J.Stringer
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