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Semiconductor light emitting element 专利
专利号: JP1982187986A, 申请日期: 1982-11-18, 公开日期: 1982-11-18
作者:  FUKUI TAKASHI;  HORIKOSHI YOSHIHARU
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Semiconductor laser device 专利
专利号: JP1982183090A, 申请日期: 1982-11-11, 公开日期: 1982-11-11
作者:  FURUYAMA HIDETO;  UEMATSU YUTAKA
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Liquid phase epitaxially growing method and device for gallium arsenide and /or aluminum gallium arsenide 专利
专利号: JP1982056925A, 申请日期: 1982-04-05, 公开日期: 1982-04-05
作者:  KONDOU KAZUO
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裂变径迹活化分析法测定湘江水的含铀量 期刊论文
核技术, 1982, 期号: 1, 页码: 59-60
作者:  翟鹏济;  康铁笙;  张志尧
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2015/12/25
GEOCHEMICAL BACKGROUND VALUES OF SOME TROPICAL AND SUBTROPICAL SURFACE-WATER IN SOUTH CHINA DETERMINED BY NEUTRON ACTIVATION METHOD 期刊论文
A Monthly Journal of Science, 1982, 期号: 1, 页码: 67-70
作者:  Wang JH(王景华);  Li XX(李岫霞);  Mao XY(毛雪瑛);  Qian XZ(钱杏珍);  Chai ZF(柴之芳)
收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2015/12/07
GEOCHEMICAL BACKGROUND VALUES OF SOME TROPICAL AND SUB-TROPICAL SURFACE-WATER IN SOUTH CHINA DETERMINED BY NEUTRON-ACTIVATION METHOD 期刊论文
KEXUE TONGBAO, 1982, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: #REF!
作者:  WANG, JH;  Li XX(李岫霞);  Mao XY(毛雪瑛);  Qian XZ(钱杏珍);  Chai ZF(柴之芳)
收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2016/04/12


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