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| Semiconductor light emitting element 专利 专利号: JP1982187986A, 申请日期: 1982-11-18, 公开日期: 1982-11-18 作者: FUKUI TAKASHI; HORIKOSHI YOSHIHARU 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1982183090A, 申请日期: 1982-11-11, 公开日期: 1982-11-11 作者: FURUYAMA HIDETO; UEMATSU YUTAKA 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Liquid phase epitaxially growing method and device for gallium arsenide and /or aluminum gallium arsenide 专利 专利号: JP1982056925A, 申请日期: 1982-04-05, 公开日期: 1982-04-05 作者: KONDOU KAZUO 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 裂变径迹活化分析法测定湘江水的含铀量 期刊论文 核技术, 1982, 期号: 1, 页码: 59-60 作者: 翟鹏济; 康铁笙; 张志尧 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2015/12/25
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| GEOCHEMICAL BACKGROUND VALUES OF SOME TROPICAL AND SUBTROPICAL SURFACE-WATER IN SOUTH CHINA DETERMINED BY NEUTRON ACTIVATION METHOD 期刊论文 A Monthly Journal of Science, 1982, 期号: 1, 页码: 67-70 作者: Wang JH(王景华); Li XX(李岫霞); Mao XY(毛雪瑛); Qian XZ(钱杏珍); Chai ZF(柴之芳) 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2015/12/07
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| GEOCHEMICAL BACKGROUND VALUES OF SOME TROPICAL AND SUB-TROPICAL SURFACE-WATER IN SOUTH CHINA DETERMINED BY NEUTRON-ACTIVATION METHOD 期刊论文 KEXUE TONGBAO, 1982, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: #REF! 作者: WANG, JH; Li XX(李岫霞); Mao XY(毛雪瑛); Qian XZ(钱杏珍); Chai ZF(柴之芳) 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2016/04/12 |