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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：1981     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 UN DISPOSITIVO LASER SEMICONDUCTOR 专利 专利号: ES497606A0, 申请日期: 1981-12-16, 公开日期: 1981-12-16 作者:  - 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 Semiconductor laser device 专利 专利号: JP1981088388A, 申请日期: 1981-07-17, 公开日期: 1981-07-17 作者:  WADA MASARU;  SHIMIZU HIROICHI;  SUGINO TAKASHI;  ITOU KUNIO 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2020/01/18 Method of growing a group III-V compound epitaxial second layer from the liquid phase on an Al-containing group III-V compound layer 专利 专利号: EP0031808A2, 申请日期: 1981-07-08, 公开日期: 1981-07-08 作者:  LOGAN, RALPH ANDRE;  TSANG, WON-TIEN 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Strip buried heterostructure laser 专利 专利号: US4269635, 申请日期: 1981-05-26, 公开日期: 1981-05-26 作者:  LOGAN, RALPH A.;  TSANG, WON-TIEN 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 Semiconductor light emitting device 专利 专利号: US4270094, 申请日期: 1981-05-26, 公开日期: 1981-05-26 作者:  HOLONYAK, JR., NICK 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 Heterostructure laser 专利 专利号: US4251298, 申请日期: 1981-02-17, 公开日期: 1981-02-17 作者:  THOMPSON, GEORGE H. B. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/26 HALBLEITERLASERANORDNUNG 专利 专利号: DE3023706A1, 申请日期: 1981-01-15, 公开日期: 1981-01-15 作者:  ALEM ANTONIUS ADRIANUS MARIUS,NL;  FINCK JOHAN CHRISTIAAN JACOBUS,NL;  WATER PETER WILHELMUS MARIA VA,NL 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 EFFECTS OF GE ON HOPPING CONDUCTIVITY OF AMORPHOUS-CHALCOGENIDE SEMICONDUCTORS AT LOW-TEMPERATURES 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 1981, 卷号: 1, 期号: 3, 页码: 723-727 - 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25