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Semiconductor laser element having a unitary film on a laser crystal and a heat sink thereof 专利
专利号: US4210878, 申请日期: 1980-07-01, 公开日期: 1980-07-01
作者:  YONEZU, HIROO
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INTERGRANULAR EMBRITTLEMENT CAUSED BY THE PRECIPITATION OF M6C CARBIDE CONTAINING SILICON 期刊论文
Journal of Materials Science, 1980, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 2935-2937
X. M. Guan; H. Q. Ye
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MOTION OF DISLOCATIONS FROM AN INDENTATION ROSETTE ON SILICON-CRYSTALS 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applied Research, 1980, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 195-200
P. Tu; H. Yizhen
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