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| 玻璃碳电极阳极溶出伏安法测定矿物、金属氧化物、粮食、土壤中微量砷 期刊论文 环境科学丛刊, 1980, 期号: 12, 页码: 35-40 作者: 王曙; 白水泉; 张淑云 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2015/04/23
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| Semiconductor laser and manufacturing the same 专利 专利号: JP1980141777A, 申请日期: 1980-11-05, 公开日期: 1980-11-05 作者: WADA MASARU; SUGINO TAKASHI; SHIMIZU HIROICHI; ITOU KUNIO 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor light emitting element and fabricating the same 专利 专利号: JP1980117295A, 申请日期: 1980-09-09, 公开日期: 1980-09-09 作者: NAKAMURA MICHIHARU; HIRAO MOTONAO; YAMASHITA SHIGEO; FUKUZAWA KAORU; UMEDA JIYUNICHI 收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 电子衍射图自动标定中初基解的判据 期刊论文 物理学报, 1980, 期号: 8, 页码: 1080-1083 郭可信,刘平 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2012/04/12
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| Manufacture of semiconductor light emitting device 专利 专利号: JP1980095386A, 申请日期: 1980-07-19, 公开日期: 1980-07-19 作者: NISHI HIROSHI; YANO MITSUHIRO; KUMAI TSUGIO; TAKUSAGAWA KIMITO 收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Method of making semiconductor devices by epitaxial deposition and apparatus for making the same 专利 专利号: GB2035686A, 申请日期: 1980-06-18, 公开日期: 1980-06-18 作者: - 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Manufacture of semiconductor light emitting device 专利 专利号: JP1980080386A, 申请日期: 1980-06-17, 公开日期: 1980-06-17 作者: NISHI HIROSHI; YANO MITSUHIRO; KUMAI TSUGIO; TAKUSAGAWA KIMITO 收藏  |  浏览/下载:32/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Semiconductor light emitting device 专利 专利号: JP1980080387A, 申请日期: 1980-06-17, 公开日期: 1980-06-17 作者: NISHI HIROSHI; YANO MITSUHIRO; OOSAKA SHIGEO; HANAMITSU KIYOSHI 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 光电观测英仙座的一个变光变色天体 期刊论文 天文学报, 1980, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 252-256 初毓桦; 王传晋; 杨修义; 夏昌立; 史习昭 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2012/12/21
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| N型GaAs欧姆接触中各组份对比接触电阻的影响 期刊论文 半导体学报, 1980, 期号: 02 吴鼎芬; 陈芬扣 收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2012/03/29 |