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Design of 1.6-2.4 GHz Low Noise Amplifier Based on SiGe HBT
会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:
Liu, Jing
;
Gao, Bao Ning
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/20
feedback
RC network
SiGe HBT
Synergistic effect of total ionizing dose on single event effect induced by pulsed laser microbeam on SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 10, 页码: 1-10
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-Xin)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hong-Xia)[ 2,3 ]
;
Pan, XY (Pan, Xiao-Yu)[ 3 ]
;
Guo, Q (Guo, Qi)[ 2 ]
;
Zhang, FQ (Zhang, Feng-Qi)[ 3 ]
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2018/11/20
Sige Hbt
Synergistic Effect
Single Event Effects
Total Ionizing Dose
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111
作者:
Zhang, JX (Zhang, Jin-xin)
;
Guo, Q (Guo, Qi)
;
Guo, HX (Guo, Hong-xia)
;
Lu, W (Lu, Wu)
;
He, CH (He, Chao-hui)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2018/06/20
Eldrs
Sige Hbt
Gamma Irradiation
Bias Conditions
Experimental study of pulse neutron irradiation damage in SiGe HBT
期刊论文
Journal of Nuclear Science and Technology, 2018
作者:
Lawal, Olarewaju Mubashiru
;
Li, Zhuoqi
;
Liu, Shuhuan
;
Hussain, Aqil
;
Yang, JiangKun
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/11/19
annealing effects
excess base current
pulse neutron irradiation
radiation damage
radiation damage region
SiGe HBT
Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 页码: 105-111
作者:
Zhang, Jin-xin
;
Guo, Qi
;
Guo, Hong-xia
;
Lu, Wu
;
He, Chao-hui
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/11/26
Gamma irradiation
ELDRS
SiGe HBT
Bias conditions
Three-dimensional simulation of fabrication process-dependent effects on single event effects of SiGe heterojunction bipolar transistor
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26
作者:
Zhang, Jin-Xin
;
He, Chao-Hui
;
Guo, Hong-Xia
;
Li, Pei
;
Guo, Bao-Long
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/26
SiGe HBT
3D simulation
single event effects
fabrication process dependence
不同偏置影响SiGe HBT剂量率效应数值模拟
期刊论文
原子能科学技术, 2017, 页码: 549-554
作者:
马婷
;
张晋新
;
贺朝会
;
唐杜
;
李培
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/26
数值模拟
SiGe HBT
不同偏置
&gamma
辐射
SiGe HBT中子-γ协同效应及剂量率效应研究
学位论文
2017
作者:
马婷
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/11/26
SiGe HBT
协同效应
剂量率效应
Cu/低k芯片铜引线键合中应力状态的数值分析
期刊论文
2016, 2016
常保华
;
白笑怡
;
都东
;
Chang Baohua
;
Bai Xiaoyi
;
Du Dong
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浏览/下载:7/0
SiGe HBT~(60) Co γ辐照总剂量效应
期刊论文
2016, 2016
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;
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;
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;
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;
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;
Liu Shuhuan
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;
Guo Xiaoqiang
;
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;
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;
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