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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Existence of bipolar resistive switching with self-rectifying behavior in a p-CuCrO2/n-Si heterostructure 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2022, 卷号: 762 作者:  Cheng, Wangping;  Li, Chenhui;  Zhou, Chen;  He, Yuandi;  Wei, Renhuai 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2022/12/23 Resistive random access memory  Resistive switching  Self-rectifying behavior  Copper chromium oxide  Thin film  Solution deposition   Near Full-Composition-Range High-Quality GaAsSb Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文 Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630 作者:  Li, L.;  Pan, D.;  Xue, Y.;  Wang, X.;  Lin, M. 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 bandgap  tuning  GaAs1−xSbx  molecular-beam  epitaxy  nanowires  rectifying  behavior  self-catalyzed   Near Full-Composition-Range High-Quality GaAsSb Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文 Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630 作者:  Lixia Li;  Dong Pan;  Yongzhou Xue;  Xiaolei Wang;  Miaoling Lin 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 GaAs1−xSbx  nanowires  bandgap tuning  self-catalyzed  molecular-beam epitaxy  rectifying behavior   Near Full-Composition-Range High-Quality GaAs1-xSbx Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文 Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630 作者:  Li, LX;  Pan, D;  Xue, YZ;  Wang, XL;  Lin, ML 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 bandgap tuning  GaAs1−xSbx  molecular-beam epitaxy  nanowires  rectifying behavior  self-catalyzed