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Atomistic Insights on Surface Quality Control via Annealing Process in AlGaN Thin Film Growth 期刊论文
NANOMATERIALS, 8, 2023, 卷号: 13, 页码: 1382
作者:  Peng Q(彭庆);  Ma ZW(马知未);  Cai, Shixian;  Zhao S(赵帅);  Chen, Xiaojia
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2023/06/15
AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2021/07/06
On the Luminescence Properties and Surface Passivation Mechanism of III- and N-Polar Nanopillar Ultraviolet Multiple-Quantum-Well Light Emitting Diodes 期刊论文
MICROMACHINES, 2020, 卷号: 11, 期号: 6
作者:  Sheikhi, Moheb;  Dai, Yijun;  Cui, Mei;  Li, Liang;  Liu, Jianzhe
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2020/12/16
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  蒋科
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/08/24
Recent advances in Ga-based solar-blind photodetectors 期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 期号: 02, 页码: 49-57
作者:  Xu MS(徐明升);  Ge L(葛磊);  Han MM(韩明明);  Huang J(黄静);  Xu HY(徐化勇)
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/11
Recent advances in Ga-based solar-blind photodetectors 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2019, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: 49-57
作者:  Xu MS(徐明升);  Ge L(葛磊);  Han MM(韩明明);  Huang J(黄静);  Xu HY(徐化勇)
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/11
Enhancement of Negative Differential Mobility Effect in Recessed Barrier Layer AlGaN/GaN HEMT for Terahertz Applications 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.3, 页码: 1236-1242
作者:  Hongliang Zhao;  Lin-An Yang;  Hao Zou;  Xiao-hua Ma;  Yue Hao
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/12/17
Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness 期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188
作者:  Wang, Xin;  He, Yun-Long;  He, Qing;  Wang, Chong;  Lei, Wei-Ning
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/17
Two-dimensional analytical model of AlGaN/GaN HEMTs with a etched algan barrier layer 期刊论文
2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2019, 2019
作者:  Guo, Haijun;  Cao, Chao;  Duan, Baoxing
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/11
AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结 散射机制的影响 期刊论文
2019, 卷号: 68, 页码: 250-257
作者:  陈谦;  李群;  杨莺
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/20

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