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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 喷淋头高度对MOCVD生长GaN外延层质量的影响 学位论文 : 大连理工大学, 2013 作者:  张鑫 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/13 氮化镓外延层  金属有机物化学气相沉积  喷淋头高度  位错密度  原子力显微镜  X射线衍射   AlxGa1-xN材料生长及MSM型紫外探测器制备研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 潘旭 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2012/06/05 AlxGa1-xN三元合金  高Al组分  紫外探测器  金属有机物化学气相外延  Si基GaN   GaN基材料及其外延生长技术研究 期刊论文 微纳电子技术, 2008, 卷号: 第45卷 第3期, 页码: 153-157 作者:  刘一兵，黄新民，刘国华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化镓  金属有机物化学气相淀积  分子束外延  氢化物气相外延  缓冲层   多波束天线通道幅相一致性校正及实现 期刊论文 微计算机信息, 2007, 期号: 20 朱丽; 龚文斌; 杨根庆 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 绝缘体上的硅  氮化镓  金属有机物化学气相外延  降低应力