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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An analytical model for the drain-source breakdown voltage of RF LDMOS power transistors with a Faraday shield 期刊论文 半导体学报(英文版), 2012, 卷号: 第4期, 页码: P32-37 作者:  Zhang Wenmin1;  * Zhang Wei1;  Fu Jun2;  Wang Yudong2 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/11/26 RF LDMOSFET/Faraday shield/breakdown voltage/surface electrical field/drift region