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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 480, 页码: 115-118 作者:  Zhao, Xuyi[1];  Wang, Peng[2];  Cao, Chunfang[3];  Yan, Jinyi[4];  Zha, Fangxing[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Photoluminescence  Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Semiconducting III-V materials  Heterojunction semiconductor devices   Highly tensile-strained sub-monolayer Ge nanostructure on GaSb studied by scanning tunneling microscopy 期刊论文 MATERIALS RESEARCH EXPRESS, 2017, 卷号: 4, 页码: 045907(1-5) 作者:  Li Yang[1];  Song Yuxin[2];  Zhang Zhenpu[3];  Li Yaoyao[4];  Chen Qimiao[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 scanning tunneling microscopy  tensile-strained Ge  nanostructure   Annealing effects on Cd0.96Zn0.04Te crystals with Te inclusions probed by photoluminescence spectroscopy 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, 卷号: 253, 页码: 1612-1615 作者:  Qi, Zhen[1];  Sheng, Fengfeng[2];  Zhu, Liang[3];  Chen, Xiren[4];  Zhu, Liangqing[5] 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/04/26 annealing  CdZnTe  deep levels  defects  photoluminescence   Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantum well probed by photoluminescence 期刊论文 JOURNAL OF LUMINESCENCE, 2016, 卷号: 169, 页码: 132-136 作者:  Zhu, Liang[1];  Song, Yuxin[2];  Qi, Zhen[3];  Wang, Shumin[4];  Zhu, Liangqing[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/26 Quantum well  Strong localization  Photoluminescence  Auger recombination   Magneto-Photoluminescent Structure of HgCdTe 会议论文 40th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz), 2015-01-01 作者:  Zhu, Liang[1];  Qi, Zhen[2];  Chen, Xiren[3];  Chen, Lu[4];  Zhu, Liangqing[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/26