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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of LaxHfyO gate dielectrics in 4H-SiC MOS capacitor 会议论文 作者:  Xia, Jing Hua;  Martin, David M.;  Suvanam, Sethu Saveda;  Zetterling, Carl Mikael;  O¨stling, Mikael 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/03 4H-SiC  High quality  High- k  High- k gate dielectrics  Nano-laminated films  Post deposition annealing  SiC MOS capacitor