QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Diode and RC Co-Triggered 2xVDD-Tolerant Electrostatic Discharge Detection Circuit in Nanoscale Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Technology 期刊论文 2019, 卷号: 14, 页码: 734-739 作者:  Yang, Zhaonian;  Yang, Yuan;  Jing, Kai;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/20 Detection Circuit  Diode and RC Co-Triggered  Electrostatic Discharge (ESD)  2xVDD-Tolerant   Statically triggered 3 x VDD-Tolerant ESD detection circuit in a 90-nm low-voltage CMOS process 期刊论文 2018, 卷号: 78, 页码: 88-93 作者:  Yang, Zhaonian;  Yang, Yuan;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/20 Bias circuit  Detection circuit  Electrostatic discharge (ESD)  Leakage current  Statically triggered   Impact of the Gate Structure on ESD Characteristic of Tunnel Field-Effect Transistors 会议论文 2018 7TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NEXT-GENERATION ELECTRONICS (ISNE), 2018-01-01 作者:  Yang, Zhaonian;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/12/20 electrostatic discharge (ESD)  electric field  gate structure  tunnel field-effect transistor (TFET)   2xVDD-Tolerant ESD Detection Circuit in a 90-nm Low-Voltage CMOS Process 会议论文 2018 7TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NEXT-GENERATION ELECTRONICS (ISNE), 2018-01-01 作者:  Yang, Zhaonian;  Zhang, Yue;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20 detection circuit  electrostatic discharge (ESD)  2xVDD-tolerant  voltage triggered   Improving ESD Protection Robustness Using SiGe Source/Drain Regions in Tunnel FET 期刊论文 2018, 卷号: 9 作者:  Yang, Zhaonian;  Yang, Yuan;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20 band-to-band tunneling (BTBT)  electrostatic discharge (ESD)  tunnel field-effect transistor (TFET)  Silicon-Germanium source  drain (SiGe S  D)  technology computer aided design (TCAD)   Thermal Characteristics of ESD Diode in FDSOI Technologies 会议论文 2018 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid State Circuits, EDSSC 2018, Shenzhen, China, 2018-06-06 作者:  Yang, Zhaonian;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20 Investigation of the Double Current Path Phenomenon in Gate-Grounded Tunnel FET 期刊论文 2018, 卷号: 39, 页码: 103-106 作者:  Yang, Zhaonian;  Zhang, Yue;  Yang, Yuan;  Yu, Ningmei 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20 Band-to-band tunneling (BTBT)  double current path  electrostatic discharge (ESD)  gate grounded tunnel field-effect transistor (ggTFET)   2×VDD-tolerant ESD detection circuit in a 90-nm low-voltage CMOS process 会议论文 7th International Symposium on Next-Generation Electronics, ISNE 2018, Taipei, Taiwan, 2018-05-07 作者:  Yang, Zhaonian;  Zhang, Yue;  Yu, Ningmei;  Liou, Juin J. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20 Double gate impact ionization MOS transistor: Proposal and investigation 期刊论文 2017, 卷号: 102, 页码: 477-483 作者:  Yang, Zhaonian;  Zhang, Yue 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/20 Band-to-band tunneling (BTBT)  Double gate  Impact ionization  IMOS  Leakage current   Design of High Performance Si/SiGe Heterojunction Tunneling FETs with a T-Shaped Gate 期刊论文 2017, 卷号: 12, 页码: 198 作者:  Li, Wei;  Liu, Hongxia;  Wang, Shulong;  Chen, Shupeng;  Yang, Zhaonian 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/20 Band-to-band tunneling (BTBT)  T-shaped gate  Tunneling field-effect transistor (TFET)  Heterojunction