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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Lazarevicite-type short-range ordering in ternary III-V nanowires 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2016, 卷号: 94 作者:  Schnedler, M.[1];  Lefebvre, I.[2];  Xu, T.[3];  Portz, V.[4];  Patriarche, G.[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/26 Impact of metabolic syndrome on myocardial injury and clinical outcome after percutaneous coronary intervention 期刊论文 HERZ, 2015, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 129-135 作者:  Li, J.[1];  Song, S.J.[2];  Xu, J.P.[3];  Zhao, X.Z.[4];  Xu, Z.W.[5] 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/21 Metabolic syndrome  Myocardial injury  Percutaneous coronary intervention  Creatine kinase-MB  Troponin I   Microstructure and electrical properties of praseodymium oxide doped Bi2O3 based ZnO varistor films 期刊论文 MATERIALS TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 30, 期号: A1, 页码: A24-A28 作者:  Xu, D.[1];  He, K.[2];  Yu, R.H.[3];  Tong, Y.[4];  Qi, J.P.[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24 Thin films  Sol-gel growth  Microstructure  Electrical properties   Effect of Al2O3doping on electric and dielectric properties of ZnO linear resistor 会议论文 作者:  Luo, Y.[1];  He, K.[2];  Yu, R.H.[3];  Qi, J.P.[4];  Yuan, H.M.[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24 Study on the limited hardenability steel 会议论文 Proceedings of the 1996 Symposium on Bearing Steels: Into the 21st Century, 1996-11-19 作者:  Xu, L.P.[1];  Li, L.[2];  Min, Y.A.[3];  Xu, M.H.[4];  Le, J.P.[5] 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/05/11 Effects of different annealing gases on pentacene OTFT with HfLaO gate dielectric (EI收录) 会议论文 IEEE Electron Device Letters 作者:  Deng, L.F.[1];  Lai, P.T.[1];  Chen, W.B.[2];  Xu, J.P.[3];  Liu, Y.R.[4] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/15 Annealing  Carrier mobility  Chemical sensors  Gate dielectrics  Gates (transistor)  Passivation  Semiconducting organic compounds   Improved performance of low-voltage pentacene OTFTs by incorporating la to hafinium oxide gate dielectric (EI收录) 会议论文 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2010, Hong Kong, China, December 15, 2010 - December 17, 2010 作者:  Deng, L.F.[1];  Lai, P.T.[1];  Tao, Q.B.[1];  Choi, H.W.[1];  Xu, J.P.[2] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/16 Dielectric materials  Gate dielectrics  Gates (transistor)  Hafnium compounds  Semiconducting organic compounds  Solid state devices  Threshold voltage   Low-voltage polymer thin-film transistors with high-k HfTiO gate dielectric annealed in NH3 or N2 (EI收录) 会议论文 2009 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2009, Xi'an, China, December 25, 2009 - December 27, 2009 作者:  Deng, L.F.[1];  Choi, H.W.[1];  Lai, P.T.[1];  Liu, Y.R.[2];  Xu, J.P.[3] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/17 Annealing  Carrier mobility  Coatings  Dielectric devices  Dielectric films  Gate dielectrics  Gates (transistor)  Hafnium  Polymeric films  Semiconducting organic compounds  Solid state devices  Spin dynamics