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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and fabrication of algan/gan hemt based on si(111) substrates by mocvd 期刊论文 Microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 作者:  Luo, Weijun;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling;  Wang, Cuimie;  Ran, Junxue 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/gan  High electron mobility transistor (hemt)  Si (111)