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Molecular systematics of the Triplophysa robusta (Cobitoidea) complex: Extensive gene flow in a depauperate lineage 期刊论文
MOLECULAR PHYLOGENETICS AND EVOLUTION, 2019, 卷号: 132, 页码: 275-283
作者:  Feng, CG;  Zhou, WW;  Tang, YT;  Gao, Y;  Chen, JM
收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/09/27
复合微生物肥料对羊草草原土壤理化性质及酶活性的影响 期刊论文
草业学报, 2016, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 27-36
作者:  权国玲;  谢开云;  仝宗永;  李向林;  万里强
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/10/21
亚洲地区丙型肝炎病毒基因重组研究 期刊论文
兰州大学学报(医学版), 2014, 期号: 4, 页码: 13-17
作者:  张克英;  周林源;  杨晓江;  张鸿雁;  迟坤
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/09/14
Comackievirus b3-induced apoptosis and caspase-3 期刊论文
CELL RESEARCH, 2003, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Yuan, JP;  Zhao, W;  Wang, HT;  Wu, KY;  Li, T
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/27
Characterization of deep levels in pt-gan schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文
Ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
作者:  Leung, BH;  Chan, NH;  Fong, WK;  Zhu, CF;  Ng, SW
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12
Characterization of deep levels in Pt-GaN Schottky diodes deposited on intermediate-temperature buffer layers 期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2002, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 314-318
Leung BH; Chan NH; Fong WK; Zhu CF; Ng SW; Lui HF; Tong KY; Surya C; Lu LW; Ge WK
收藏  |  浏览/下载：129/0  |  提交时间：2010/08/12
JBCore32 32-bit/16-bit Embedded Microprocessor with its system software and program development environment 期刊论文
chinese journal of electronics, 2001
Cheng, X; Tong, D; Cui, GZ; Wang, KY
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/16
Studies of high dc current induced degradation in iii-v nitride based heterojunctions 期刊论文
Ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425
作者:  Ho, WY;  Surya, C;  Tong, KY;  Lu, LW;  Ge, WK
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12
Studies of high DC current induced degradation in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文
ieee transactions on electron devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 1421-1425
Ho WY; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12
Characterization of hot-electron effects on flicker noise in III-V nitride based heterojunctions 期刊论文
mrs internet journal of nitride semiconductor research, 1999, 卷号: 4, 期号: 0, 页码: art.no.g6.4
Ho WY; Fong WK; Surya C; Tong KY; Lu LW; Ge WK
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12

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