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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Wang, Jingli;  Zou, Xuming;  Zhang, Kai;  Guo, Yaxiong;  Li, Yi 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 AlGaN/GaN  CuO gate  NiOx gate  p-type metal oxide  threshold voltage   Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8 作者:  Li, Yi;  Guo, Yaxiong;  Zhang, Kai;  Zou, Xuming;  Wang, Jingli 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05 Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6 作者:  Yi Li;  Yaxiong Guo;  Kai Zhang;  Xuming Zou;  Jingli Wang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 Logic gates  HEMTs  MODFETs  Aluminum gallium nitride  Wide band gap semiconductors  Threshold voltage  AlGaN/GaN  CuO gate  NiOₓ  gate  p-type metal oxide  threshold voltage.   EBI2 augments Tfh cell fate by promoting interaction with IL-2-quenching dendritic cells 期刊论文 NATURE, 2016, 卷号: 533, 期号: 7601 作者:  Yi, Tangsheng;  Li, Jianhua;  Lu, Erick;  Cyster, Jason G. 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/05 USE OF KLK5 ANTAGONISTS FOR TREATMENT OF A DISEASE 专利 作者:  Amy Dressen;  David B Iaea;  Moulay Hicham Alaoui Ismaili;  Janet K Jackman;  Robert A Lazarus 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 USE OF KLK5 ANTAGONISTS FOR TREATMENT OF A DISEASE 专利 作者:  DRESSEN Amy;  IAEA David B;  ISMAILI Moulay Hicham Alaoui;  JACKMAN Janet K;  LAZARUS Robert A 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/05