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| Impact of growth parameters on the morphology and microstructure of epitaxial GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
J.Alloy.Compd, 2013, 卷号: 580, 期号: 82
Z.Y.Lu P.P.Chen Z.M.Liao S.X.Shi Y.Sun T.X.Li Y.H.Zhang J.Zou W.Lu
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| Far infrared reflection spectra of InAsxSb1-x (x=0-0.4) thin films 期刊论文
J.Appl.Phys, 2013, 卷号: 113, 期号: 21
作者: L.Huang Z.F.Li P.P.Chen Y.H.ZhangandW.Lu
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| Temperature-Dependent Optical Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots:Spectroscopic Measurements and an Eight-Band Study 期刊论文
CHIN.PHYS.LETT., 2011, 卷号: 28, 期号: 11
作者: X.H.Zhou; P.P.Chen; X.S.Chen
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| Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Acta Materialia, 2007, 卷号: 1, 期号: 55
作者: J.B.Wang; Z.F.Li; P.P.Chen; WeiLu; T.Yao
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| Effects of rapid thermal annealing on the properties of GaNxAs1x 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 101
作者: Z.L.Liu; P.P.Chen; C.Wang; T.X.Li; H.Y.Cuietal.
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| Optical properties and thermal stability of GaAsN alloy films 期刊论文
Journal of Luminescence, 2007, 卷号: 122-123
作者: T.X.Li; P.P.Chen; T.Mori; L.H.Bai; T.Yao
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