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Preparation of SiC/SiNWs heterostructure on 4HSiC(0001) 会议论文
2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits, EDSSC 2019, Xi'an, China, 2019-06-12
作者:  Zang, Yuan;  Chen, Hong;  Li, Lianbi;  Lei, Qianqian;  Cho, Jeong-Hyun
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Preparation of SiC/SiNWs heterostructure on 4H-SiC(0001) 会议论文
2019 IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON ELECTRON DEVICES AND SOLID-STATE CIRCUITS (EDSSC), 2019-01-01
作者:  Zang, Yuan;  Chen, Hong;  Li, Lianbi;  Lei, Qianqian;  Cho, Jeong-Hyun
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/20
Effect of Processing Parameters on Monolayer MoS2 Prepared by APCVD in a Quasiclosed Crucible 期刊论文
2019, 卷号: 48, 页码: 4947-4958
作者:  Yang, Yong;  Pu, Hongbin;  Li, Lianbi;  Di, Junjie;  Lin, Tao
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Adsorption Characteristics of Ge on 4H-SiC(0001) Surface: First-principles Study 会议论文
2018 CHINESE AUTOMATION CONGRESS (CAC), 2018-01-01
作者:  He Xiaomin;  Xu Bei;  Pu Hongbin;  Li Lianbi;  Quan Jing
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Preparation of SiC/Ge/graphene heterostructure on 4H-SiC(0001) 期刊论文
2018, 卷号: 211, 页码: 133-137
作者:  Chu, Qing
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20
First-Principles Calculations on Atomic and Electronic Properties of Ge/4H-SiC Heterojunction 期刊论文
2018
作者:  Xu, Bei;  Zhu, Changjun;  He, Xiaomin;  Zang, Yuan;  Lin, Shenghuang
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Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate 期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2017, 卷号: 205, 页码: 162-164
作者:  Zang, Yuan;  Li, Lianbi;  Chu, Qing;  Han, Yuling;  Pu, Hongbin
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Growth of monolayer MoS2 films in a quasi-closed crucible encapsulated substrates by chemical vapor deposition 期刊论文
2017, 卷号: 679, 页码: 181-184
作者:  Yang, Yong;  Pu, Hongbin;  Lin, Tao;  Li, Lianbi;  Zhang, Shan
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/20
Growth of graphene/Ge/Si heterostructure on Si(001) substrate 期刊论文
2017, 卷号: 205, 页码: 162-164
作者:  Zang, Yuan;  Li, Lianbi;  Chu, Qing;  Han, Yuling;  Pu, Hongbin
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/20
Photoelectric Properties of Si Doping Superlattice Structure on 6H-SiC(0001) 期刊论文
2017, 卷号: 10
作者:  Li Lianbi;  Zang Yuan;  Hu Jichao;  Lin Shenghuang;  Chen Zhiming
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